اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل EVO Plus 990 MZ-V9S2T0BW ظرفیت دو ترابایت

ابعاد

80.15x22.15x2.38 میلی‌متر

کنترل کننده

کنترلر اختصاصی سامسونگ (Samsung In-house Controller)

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

حداکثر ۱٬۳۵۰٬۰۰۰ IOPS

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

حداکثر ۱٬۰۰۰٬۰۰۰ IOPS

سایر قابلیت‌ها

شتیبانی از S.M.A.R.T / الگوریتم جمع‌آوری داده‌های بلااستفاده (Garbage Collection) / پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی، TCG Opal، IEEE1667 / پشتیبانی از حالت خواب دستگاه (Device Sleep) / بهره‌مندی از حافظه کش HMB (Host Memory Buffer)

ظرفیت

دو ترابایت

فرم فاکتور

M.2

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

مقاومت در برابر شوک تا ۱۵۰۰ جی به مدت ۰.۵ میلی‌ثانیه

میانگین عمر

1,500,000 ساعت

نوع حافظه فلش

3D NAND

قابلیت‌های حافظه

پشتیبانی از TRIM

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

تا 6,300 مگابایت در ثانیه

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

تا 7,250 مگابایت در ثانیه

مصرف برق

در حالت خواندن: به‌طور میانگین ۴.۶ وات / در حالت نوشتن: به‌طور میانگین ۴.۲ وات / در حالت Idle: حدود ۶۰ میلی‌وات / در حالت خواب: حدود ۵ میلی‌وات

رابط‌ها

PCI Express 5.0 , PCI-Express 4.0 x4

قابلیت پشتیبانی از سیستم عامل‌های

ویندوز / لینوکس

اقلام همراه

دفترچه‌ راهنما

وزن

9 گرم